对比图
型号 RFD16N06LESM9A STB60NF06LT4 RFD16N06LESM
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N06LESM9A 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 47 mohm, 5 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFD16N06LESM 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 47 mohm, 5 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 16.0 A 60.0 A -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 47 mΩ 0.016 Ω 0.047 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 110 W 90 W
阈值电压 3 V 1 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60 V -
连续漏极电流(Ids) 16.0 A 60.0 A 16.0 A
上升时间 60 ns 220 ns -
输入电容(Ciss) 1350pF @25V(Vds) 2000pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 90 W 110 W -
下降时间 35 ns 30 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -
耗散功率(Max) 90W (Tc) 110W (Tc) -
栅源击穿电压 - ±15.0 V -
长度 6.73 mm 10.4 mm -
宽度 6.22 mm 9.35 mm -
高度 2.39 mm 4.6 mm -
封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 -