FDS8817NZ和IRF8736PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8817NZ IRF8736PBF IRF7821PBF

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8817NZ  晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 30 V, 0.0054 ohm, 10 V, 1.8 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF8736PBF  场效应管, MOSFET, 30V, 18A, SOIC 新30V,9.1mΩ,13.6A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.0054 Ω 4.8 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

产品系列 - IRF8736 IRF7821

阈值电压 1.8 V 1.8 V -

输入电容 - 2315pF @15V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 18.0 A 13.6 A

输入电容(Ciss) 2400pF @15V(Vds) 2315pF @15V(Vds) 1010pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 2.5 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 155 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 13.6 A

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

上升时间 13 ns - 2.7 ns

下降时间 7 ns - 7.3 ns

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2500 mW

长度 5 mm 5 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

宽度 4 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台