对比图
型号 IPA60R800CEXKSA1 IPAN60R800CEXKSA1
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V晶体管, MOSFET, N沟道, 8.4 A, 600 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.68 Ω 0.68 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 27 W 27 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 5.6A 8.4A
上升时间 7 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 373pF @100V(Vds) 373pF @100V(Vds)
下降时间 12 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 27W (Tc) 27000 mW
额定功率 27 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99