IPB160N04S203ATMA1和IPB160N04S203ATMA4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB160N04S203ATMA1 IPB160N04S203ATMA4

描述 D2PAK N-CH 40V 160A晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0024 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7

封装 TO-263-7-3 TO-263-7

极性 N-CH N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 160A 160A

上升时间 45 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 5300pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

下降时间 32 ns 32 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc)

针脚数 - 7

漏源极电阻 - 0.0024 Ω

阈值电压 - 3 V

封装 TO-263-7-3 TO-263-7

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free 无铅

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