BZX85C30-TAP和BZX85C30RL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX85C30-TAP BZX85C30RL BZX85-C30

描述 1.3W,BZX85 系列,Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管(电源) 适用于稳定和削波电路的应用,带有高额定功率 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDO-41 30V 1WDO-41 Glass 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) TAK Cheong Good-Ark Electronics (固锝)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

容差 ±5 % - -

额定功率 1.3 W - -

击穿电压 30.0 V - -

耗散功率 1.3 W 1 W 500 mW

测试电流 8 mA - -

稳压值 30 V 30 V -

额定功率(Max) 1.3 W - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 1300 mW - -

长度 4.1 mm - -

宽度 2.6 mm - -

高度 2.6 mm - -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) - -

最小包装 - - 5000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -

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