对比图
型号 BSP171PL6327 P171 BSP171P
描述 Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.7A; 1.6W; SOT223Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,INFINEON BSP171P 晶体管, MOSFET, P沟道, 1.45 A, -60 V, 400 mohm, -10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 3 - 4
封装 TO-261 - SOT-223-4
额定电压(DC) -60.0 V - -
额定电流 -1.90 A - -
额定功率 1.6 W - -
极性 P-Channel - P-Channel
耗散功率 1.50 W - 1.8 W
输入电容 460 pF - -
栅电荷 1.60 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V
连续漏极电流(Ids) 1.90 A - 1.45 A
输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) - 365pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.8 W - -
针脚数 - - 4
漏源极电阻 - - 400 mΩ
阈值电压 - - 1.5 V
上升时间 - - 25 ns
下降时间 - - 87 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) - - 1.8 W
封装 TO-261 - SOT-223-4
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 3.5 mm
高度 - - 1.6 mm
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant - RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 - - -55℃ ~ 150℃