AUIRF1010ZS和IRF1010ZSPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF1010ZS IRF1010ZSPBF PSMN7R6-60BS

描述 INFINEON  AUIRF1010ZS  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 5.8 mohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRF1010ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 55 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VNXP  PSMN7R6-60BS  晶体管, MOSFET, N沟道, 92 A, 60 V, 0.0059 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

额定功率 140 W 140 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0058 Ω 0.0075 Ω 0.0059 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 140 W 149 W

阈值电压 2 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 94A 94A -

输入电容(Ciss) 2840pF @25V(Vds) 2840pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 140 W -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 140W (Tc) 140W (Tc) -

上升时间 150 ns - -

下降时间 92 ns - -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Rail, Tube Rail, Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

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