对比图
型号 FQH44N10 FQH44N10_F133 FDP3682
描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETQFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 48.0 A - 32.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.039 Ω - 0.032 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 180 W 180 W 95 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 1.25 nF
栅电荷 - - 18.5 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 48.0 A 48A 32.0 A
上升时间 190 ns 190 ns 46 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds) 1250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 180 W 95 W
下降时间 100 ns 100 ns 32 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 180W (Tc) 95W (Tc)
长度 15.87 mm 15.87 mm 10.67 mm
宽度 4.82 mm 4.82 mm 4.83 mm
高度 20.82 mm 20.82 mm 9.4 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR