IRFZ48NSTRLPBF和IRFZ48NSTRR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRR IRFZ48NSTRRPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 64 A, 55 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 55V 64AD2PAK N-CH 55V 64A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 64.0 A -

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 3.8 W 3.8W (Ta), 130W (Tc) 140 W

产品系列 - IRFZ48NS -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 64A 64.0 A 64A

上升时间 78 ns 78.0 ns 78 ns

输入电容(Ciss) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds) 1970pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc)

额定功率 140 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.014 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 1970 pF - -

额定功率(Max) 3.8 W - -

下降时间 50 ns - 50 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

长度 6.5 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.3 mm - 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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