IS42S32400B-7TLI和IS42S32400F-7TL

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32400B-7TLI IS42S32400F-7TL MT48LC4M32B2P-7:G

描述 128M, 3.3V, SDRAM, Sync, 4Mx32, 143MHz, 86Pin TSOP II (400 Mil) RoHSRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAMDRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II Tray

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Micron (镁光)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 86 86

封装 TFSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - 100 mA 175 mA

时钟频率 143MHz (max) - 143MHz (max)

位数 - 32 32

存取时间 - 5.4 ns 143 µs

内存容量 - - 128000000 B

工作温度(Max) - 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间(Max) - 5.4ns, 6.5ns -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

高度 - 1.05 mm 1 mm

封装 TFSOP-86 TSOP-86 TSOP-86

长度 - 22.42 mm -

宽度 - 10.29 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free PB free

ECCN代码 - EAR99 -

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