TLE2022AIDRG4和TLE2022AMD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2022AIDRG4 TLE2022AMD TLE2022AIDR

描述 神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSExcalibur TLE 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLE2022AIDR  运算放大器, 2.8 MHz, 2个放大器, 0.65 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 20.0 V -

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 550 µA 550 µA 550 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - 8 8

耗散功率 725 mW 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 87 dB 87 dB 87 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.70 MHz 1.2 MHz 2.8 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 120 µV 120 µV 120 µV

输入偏置电流 33 nA 33 nA 33 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 2.8 MHz 1.7 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 87 dB 87 dB 87 dB

电源电压(Max) - 20 V 40 V

电源电压 - - 4V ~ 40V

电源电压(Min) - - 4 V

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15

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