TLE2022ACDRG4和TLE2022AQDREP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2022ACDRG4 TLE2022AQDREP MC33172DT

描述 神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERS神剑高速低功耗精密运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED LOW-POWER PRECISION OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  MC33172DT  运算放大器, 双路, 2.1 MHz, 2个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 44.0 V

工作电压 - - 2V ~ 22V

输出电流 - ≤30 mA 27 mA

供电电流 550 µA 550 µA 220 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 - - 8

共模抑制比 87 dB 87 dB 80 dB

带宽 1.70 MHz 1.70 MHz 2.1 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 2.00 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 2.1 MHz

输入补偿电压 120 µV 120 µV 1 mV

输入偏置电流 33 nA 33 nA 20 nA

工作温度(Max) - 125 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - - 2.1 MHz

共模抑制比(Min) - 87 dB 80 dB

电源电压 - - 4V ~ 40V

电源电压(Max) - 40 V 44 V

电源电压(Min) - 4 V 4 V

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

耗散功率 0.725 W - -

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - - 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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