对比图
描述 100V,180A,N沟道功率MOSFET100V,160A,N沟道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 7 7
封装 TO-263 TO-263
极性 N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 100 V -
上升时间 58 ns -
下降时间 28 ns -
输入电容(Ciss) - 6320pF @50V(Vds)
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 214 W
封装 TO-263 TO-263
长度 - 10.31 mm
宽度 - 9.45 mm
高度 - 4.57 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC