对比图
型号 CY7C1315CV18-250BZC CY7C1315CV18-250BZXC CY7C1315CV18-250BZI
描述 18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture18 - Mbit的QDR ™-II SRAM 4字突发架构 18-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
引脚数 - - 165
存取时间 0.45 ns 0.45 ns -
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - 1.9 V -
电源电压(Min) - 1.7 V -
位数 - - 36
存取时间(Max) - - 0.45 ns
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
高度 - - 0.89 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 - - Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead