GE28F640W18BD80和M58WR064KB70ZB6E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GE28F640W18BD80 M58WR064KB70ZB6E M58WR064KB7AZB6F

描述 Intel® Wireless Flash MemoryNOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16Bit 70ns 56Pin VFBGANOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16Bit 70ns 56Pin VFBGA T/R

数据手册 ---

制造商 Intel (英特尔) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

封装 VFBGA VFBGA-56 VFBGA

引脚数 - 56 -

封装 VFBGA VFBGA-56 VFBGA

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tray Tape & Reel (TR)

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 70 ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 - 1.7V ~ 2V -

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 -

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