对比图
型号 BC32725BU BC32725_J35Z BC327-025G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC32725BU 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 625 mW, -800 mA, 100 hFE双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GEN PURP XTORNPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3
频率 100 MHz - 260 MHz
额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V
额定电流 -800 mA - -800 mA
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 625 mW 625 mW 1.5 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 1500 mW
针脚数 3 - -
集电极最大允许电流 0.8A 0.8A -
最大电流放大倍数(hFE) 630 - -
直流电流增益(hFE) 100 - -
长度 - 5.2 mm 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm 4.19 mm
高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99