对比图
型号 FQB12P20 FQB12P20TM
描述 200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 D2PAK TO-263-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 0.36 Ω
耗散功率 - 120 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
上升时间 - 195 ns
输入电容(Ciss) - 920pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 3.13 W
下降时间 - 60 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 3130 mW
极性 P-CH -
连续漏极电流(Ids) 11.5A -
长度 - 10.67 mm
宽度 - 9.65 mm
高度 - 4.83 mm
封装 D2PAK TO-263-3
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free