对比图
型号 STPS30H100CR VI30100C-E3/4W MBRB30100CT-BP-HF
描述 肖特基势垒二极管，30A，STMicroelectronics### 二极管和整流器，STMicroelectronics双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.455 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.455 V at IF = 5 ARectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3/2
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)
分类 二极管阵列二极管阵列
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 - -
封装 TO-262-3 TO-262-3 -
正向电压 800mV @15A 800mV @15A -
正向电流 30 A - -
最大正向浪涌电流（Ifsm） 250 A - -
正向电压(Max) 930 mV - -
正向电流(Max) 30 A - -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -
长度 2.7 mm 10.45 mm -
宽度 4.6 mm 4.7 mm -
高度 9.35 mm 8.89 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 - -40℃ ~ 150℃ -