JAN1N4105C和JANTX1N4105D-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N4105C JANTX1N4105D-1 1N4105C-1

描述 硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODESDiode Zener 11V 0.5W(1/2W) Do35Zener Diode,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Cobham plc (科巴姆)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

耗散功率 500 mW - -

稳压值 11 V 11 V -

容差 - ±1 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - -

含铅标准 - -

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