对比图
型号 FLL351ME NE6500379A NE6510179A-T1
描述 Trans JFET 15V 3Pin Case ME射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 L&S; Band GaAs MESFETTrans JFET 8V 2.8A GaAs HJFET 4Pin Case 79A T/R
数据手册 ---
制造商 Fujitsu (富士通) California Eastern Laboratories California Eastern Laboratories
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
封装 - 79A -
引脚数 - - 4
耗散功率 - 21 W -
漏源击穿电压 - 15.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 5.60 A -
增益 - 10 dB -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
封装 - 79A -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tray -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant