IRFBA90N20D和IRFBA90N20DPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFBA90N20D IRFBA90N20DPBF

描述 TO-273AA N-CH 200V 98AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 SUPER-220 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 200 V -

额定电流 98.0 A -

极性 N-CH N-CH

产品系列 IRFBA90N20D -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 98.0 A 98A

上升时间 160 ns 160 ns

额定功率 - 650 W

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.023 Ω

耗散功率 - 650 W

阈值电压 - 5 V

漏源击穿电压 - 200 V

输入电容(Ciss) - 6080pF @25V(Vds)

下降时间 - 77 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 650W (Tc)

封装 SUPER-220 TO-220-3

长度 - 11 mm

宽度 - 5 mm

高度 - 16.5 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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