IRFP150PBF和IXFH80N10Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP150PBF IXFH80N10Q IRFP150N

描述 功率MOSFET Power MOSFETTO-247AD N-CH 100V 80AN沟道,100V,42A,36mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) IXYS Semiconductor International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 41.0 A 80.0 A 42.0 A

漏源极电阻 0.055 Ω 15.0 mΩ 36.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 230 W 360 W 140 W

产品系列 - - IRFP150N

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 41.0 A 80.0 A 42.0 A

上升时间 120 ns 70.0 ns 56.0 ns

耗散功率(Max) 230 W 360W (Tc) 160 W

额定功率 230 W - -

针脚数 3 - -

阈值电压 2 V - -

输入电容(Ciss) 2800pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 230 W 360 W -

下降时间 81 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247

长度 15.87 mm - -

宽度 5.31 mm - -

高度 20.82 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Bulk

最小包装 500 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 EAR99 - -

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