对比图
型号 IXFN36N60 IXTN36N50 IXFN48N50
描述 SOT-227B N-CH 600V 36AIXYS SEMICONDUCTOR IXTN36N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 36 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 5 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFN48N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 500 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Chassis Screw
引脚数 - 3 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 180 mΩ 0.12 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 520W (Tc) 400 W 520 W
阈值电压 - 5 V 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 36.0 A 48.0 A
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 8500pF @25V(Vds) 8400pF @25V(Vds)
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -
耗散功率(Max) 520W (Tc) 400000 mW 520W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 500 V
额定电流 36.0 A - 48.0 A
额定功率 - - 520 W
上升时间 45.0 ns - 60.0 ns
额定功率(Max) - - 520 W
通道数 1 - -
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
宽度 25.42 mm - -
产品生命周期 Not Recommended Active Active
包装方式 Tube - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99
HTS代码 - - 8541290095