KSD880-Y和KSD880Y

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSD880-Y KSD880Y KSD880YTU

描述 NPN Epitaxial Silicon Transistor低频功率放大器 Low Frequency Power AmplifierON Semiconductor KSD880YTU , NPN 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:20, 1 MHz, 3引脚 TO-220封装

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

极性 - NPN -

耗散功率 - 30 W 30 W

增益频宽积 - 3 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V

集电极最大允许电流 - 3A -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @500mA, 5V 100 @500mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) - 30 W 30 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

频率 - - 3 MHz

耗散功率(Max) - - 30 W

长度 - 10.1 mm 9.9 mm

宽度 - 4.7 mm 4.5 mm

高度 - 9.4 mm 14.2 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台