对比图
型号 IS61WV25616BLL-10BLI IS61WV25616BLL-10BLI-TR CY7C1041DV33-10BVJXI
描述 RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-Bit 256K x 16 10ns 48Pin Mini-BGA T/R4兆位（ 256千× 16 ）静态RAM 4-Mbit (256 K × 16) Static RAM
数据手册 ---
制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 48 48 48
封装 BGA-48 BGA-48 VFBGA-48
供电电流 45 mA - 90 mA
针脚数 48 - -
位数 16 16 16
存取时间 10 ns 10 ns 10 ns
存取时间(Max) 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 2.4V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V
电源电压(Min) 2.4 V - 3 V
长度 8.1 mm - -
宽度 6.1 mm - -
高度 0.9 mm - 0.81 mm
封装 BGA-48 BGA-48 VFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 -