IRF740和IRF740PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF740 IRF740PBF STP11NB40

描述 N - CHANNEL 400V - 0.48欧姆 - 10 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48 ohm - 10 A - TO-220 PowerMESH] MOSFET功率MOSFET Power MOSFETN - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 400V - 0.48ohm - 10.7A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 550 mΩ 0.55 Ω 480 mΩ

耗散功率 125 W 125 W 125 W

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V 400 V

漏源击穿电压 400 V 400 V 400 V

上升时间 10 ns 27 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 1400pF @25V(Vds) 1400pF @25V(Vds) 1250pF @25V(Vds)

下降时间 - 24 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -55 ℃ 65 ℃

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125 W 125000 mW

额定电压(DC) 400 V 400 V -

额定电流 10.0 A 10.0 A -

极性 N-Channel N-Channel -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A -

额定功率(Max) 125 W 125 W -

额定功率 - 125 W -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

长度 10.4 mm 10.41 mm 10.4 mm

宽度 4.6 mm 4.7 mm 4.6 mm

高度 9.15 mm 9.01 mm 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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