BAS21VD,135和BAS21H,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21VD,135 BAS21H,115 BAS21VD,165

描述 BAS21 系列 350 mW 250 V 最大反向电压 200 mA 高压 二极管-SOT-23-3Diode Switching 250V 0.2A 2Pin SOD T/RDiode Switching 250V 0.2A 6Pin TSOP T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 二极管阵列TVS二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 2 -

封装 SOT-457 SOD-123F TSOP-457

正向电压 1.25V @200mA 1.25V @200mA 1.25V @200mA

热阻 - 330℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA -

正向电压(Max) 1.25V @200mA 1.25V @200mA 1.25V @200mA

正向电流(Max) 200 mA 200 mA -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max) 150℃ (Max)

耗散功率(Max) 295 mW - -

封装 SOT-457 SOD-123F TSOP-457

宽度 - - 1.7 mm

高度 1 mm - -

工作温度 - 150 ℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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