1N4101D-1和JAN1N4101

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N4101D-1 JAN1N4101 1N4101

描述 DO-35 8.2V 0.5W(1/2W)硅400毫安低噪声齐纳二极管 SILICON 400mA LOW NOISE ZENER DIODES0.5W(1/2W) Silicon Zener Diodes

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

耗散功率 500 mW 500 mW -

稳压值 8.2 V 8.2 V -

封装 DO-35 DO-35 DO-35

产品生命周期 Active Active End of Life

含铅标准 - Contains Lead -

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