IXFK78N50P3和IXFX78N50P3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK78N50P3 IXFX78N50P3 APT75F50L

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道FREDFET N-Channel FREDFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

通道数 1 - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.068 Ω - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 1.13 kW 1130W (Tc) 1040000 mW

阈值电压 5 V - -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 78A - -

上升时间 10 ns 10 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 9900pF @25V(Vds) 9900pF @25V(Vds) 11600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1130 W - -

下降时间 7 ns 7 ns 39 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1130W (Tc) 1130W (Tc) 1040W (Tc)

长度 19.96 mm 16.13 mm -

宽度 5.13 mm 5.21 mm -

高度 26.16 mm 21.34 mm -

封装 TO-264-3 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

REACH SVHC版本 2016/06/20 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台