M12L64164A-5TG和W9864G6JH-5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M12L64164A-5TG W9864G6JH-5 HY57V641620FSP-5

描述 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAMSynchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.4INCH, ROHS COMPLIANT, TSSOP2-54Synchronous DRAM, 4MX16, 4.5ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TSOPII-54

数据手册 ---

制造商 ESMT (晶豪科技) Winbond Electronics (华邦电子股份) SK Hynix (海力士)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

封装 TSOP-2 TSOP-54 TSOP-2

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 54 - -

电源电压 - 3V ~ 3.6V -

封装 TSOP-2 TSOP-54 TSOP-2

长度 22.22 mm - -

宽度 10.16 mm - -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

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