AUIRF7737L2TR和IRF7737L2TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AUIRF7737L2TR IRF7737L2TRPBF

描述 Direct-FET N-CH 40V 31ADirect-FET N-CH 40V 31A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 Direct-FET DirectFET-L6

引脚数 13 -

极性 N-CH N-CH

耗散功率 3.3 W 3.3W (Ta), 83W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A

输入电容(Ciss) 5469pF @25V(Vds) 5469pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 83W (Tc) 3.3W (Ta), 83W (Tc)

额定功率 83 W -

上升时间 19 ns -

下降时间 14 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 9.15 mm 9.15 mm

宽度 7.1 mm 7.1 mm

高度 0.74 mm 0.74 mm

封装 Direct-FET DirectFET-L6

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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