MT48LC4M32B2P-7:G和MT48LC4M32B2TG-6A:L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT48LC4M32B2P-7:G MT48LC4M32B2TG-6A:L IS42S32400F-7TL

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II TrayDRAM Chip SDRAM 128Mbit 4Mx32 3.3V 86Pin TSOP-IIRAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 86 86 86

封装 TSOP-86 TSOP-2 TSOP-86

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

供电电流 175 mA - 100 mA

时钟频率 143MHz (max) - -

位数 32 32 32

存取时间 143 µs - 5.4 ns

内存容量 128000000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

存取时间(Max) - - 5.4ns, 6.5ns

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

高度 1 mm 1 mm 1.05 mm

封装 TSOP-86 TSOP-2 TSOP-86

长度 - - 22.42 mm

宽度 - - 10.29 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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