对比图
型号 SI4816BDY-T1-E3 SI4816DY-T1-E3 SI4816DY-T1
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8Pin SOIC N T/RDUAL N CH/SCHOTTKY MOSFET, 30V SOIC; Transistor Polarity: N Channel + Schottky; Continuous Drain Current Id, N Channe...Small Signal Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -
漏源击穿电压 30 V - 30.0 V
工作温度(Max) 150 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
漏源极电阻 - 22.0 mΩ 22.0 mΩ
极性 - Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 - 1.25 W 1.25 W
栅源击穿电压 - 20.0 V 20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 5.30 A 6.30 A
额定功率(Max) - 1W, 1.25W -
长度 5 mm - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -