2SC5087和S852T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SC5087 S852T BFX48

描述 NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)硅NPN平面RF晶体管 Silicon NPN Planar RF TransistorBJT, PNP, Silicon Epitaxial Transistor, IC 0.1A

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Vishay Semiconductor (威世) Semelab

分类

基础参数对比

引脚数 - - 3

封装 - - TO-18

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 360 mW

封装 - - TO-18

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台