R1LV1616HBG-5SI和R1LV1616RBG-5SI

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1LV1616HBG-5SI R1LV1616RBG-5SI R1LV1616HBG-4SI

描述 工作温度范围宽版16M的SRAM ( 1 - Mword × 16位) Wide Temperature Range Version 16 M SRAM (1-Mword 】 16-bit)16MB先进LPSRAM ( 1M wordx16bit / 2M wordx8bit ) 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit)RENESAS  R1LV1616HBG-4SI  芯片, 存储器, SRAM, 16Mb, 3V, 45NS, 48FBGA

数据手册 ---

制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 - 48 48

封装 FBGA FBGA FBGA

电源电压(DC) - 2.70V (min) 2.70V (min)

针脚数 - - 48

存取时间 - 55 ns 45 ns

内存容量 - 2000000 B 2000000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3 V - 2.7V ~ 3.6V

电源电压(Max) - 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) - 2.7 V 2.7 V

工作电压 - 3.3 V -

封装 FBGA FBGA FBGA

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Each Each

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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