IXTH96P085T和IXTP96P085T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTH96P085T IXTP96P085T IXTA96P085T

描述 TO-247P-CH 85V 96AIXTP 系列 单通道 P 沟道 85 V 13 mOhm 298 W 功率 MosFet - TO-220ABTO-263AA P-CH 85V 96A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

额定功率 - - 298 W

通道数 - - 1

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 298 W 298 W 298 W

阈值电压 - - 2 V

漏源极电压(Vds) 85 V 85 V 85 V

连续漏极电流(Ids) 96A 96A 96A

上升时间 34 ns 34 ns 34 ns

输入电容(Ciss) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds) 13100pF @25V(Vds)

下降时间 22 ns 22 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 298W (Tc) 298W (Tc) 298W (Tc)

额定功率(Max) 298 W 298 W -

宽度 - - 9.65 mm

封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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