IXFK25N90和IXFK26N90

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFK25N90 IXFK26N90 IXFN39N90

描述 TO-264AA N-CH 900V 25ATO-264AA N-CH 900V 26AN沟道 900V 39A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Chassis

引脚数 - 3 -

封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 560 W 560W (Tc) 694W (Tc)

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V

连续漏极电流(Ids) 25A 26A 39A

上升时间 35 ns 35 ns -

输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds)

下降时间 24 ns 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 560W (Tc) 560W (Tc) 694W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 330 mΩ - -

漏源击穿电压 900 V - -

封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4

长度 19.96 mm - -

宽度 5.13 mm - -

高度 26.16 mm - -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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