对比图
型号 IXFK25N90 IXFK26N90 IXFN39N90
描述 TO-264AA N-CH 900V 25ATO-264AA N-CH 900V 26AN沟道 900V 39A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Chassis
引脚数 - 3 -
封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 560 W 560W (Tc) 694W (Tc)
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
连续漏极电流(Ids) 25A 26A 39A
上升时间 35 ns 35 ns -
输入电容(Ciss) 10800pF @25V(Vds) 10800pF @25V(Vds) 9200pF @25V(Vds)
下降时间 24 ns 24 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 560W (Tc) 560W (Tc) 694W (Tc)
通道数 1 - -
漏源极电阻 330 mΩ - -
漏源击穿电压 900 V - -
封装 TO-264-3 TO-264-3 SOT-227-4
长度 19.96 mm - -
宽度 5.13 mm - -
高度 26.16 mm - -
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free