MG75J6ES50和MWI50-06A7

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MG75J6ES50 MWI50-06A7 CM50TF-12H

描述 N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)MWI50 系列 600 Vce 72 A 50 ns t(on) IGBT 模块 SixPackIGBT MOD 6PAC 600V 50A H SER

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) IXYS Semiconductor Powerex

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 - Chassis Chassis

封装 - E2 Module

引脚数 - 18 -

极性 - - N-Channel

耗散功率 - 225000 mW 250 W

正向电压 - 1.6 V -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

输入电容(Cies) - 2.8nF @25V -

额定功率(Max) - 225 W -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 225000 mW -

封装 - E2 Module

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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