对比图
型号 BSM30GD60DLC BSM30GD60DLCE3224 MG25J6ES1
描述 Trans IGBT Module N-CH 600V 40A 135000mW 17Pin EconoPACK 2ATrans IGBT Module N-CH 600V 40A 135000mW 17Pin EconoPACK 2A T/RGTR Module: Silicon N-Channel IGBT
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Screw Screw -
封装 ECONO-2 EconoPACK 2A -
引脚数 17 - -
耗散功率 135 W 135 W -
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -
输入电容(Cies) - 1.3nF @25V -
额定功率(Max) - 135 W -
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -
工作温度(Min) 40 ℃ 40 ℃ -
耗散功率(Max) 135000 mW - -
长度 107.5 mm 107.5 mm -
宽度 45 mm 45 mm -
高度 17 mm 17 mm -
封装 ECONO-2 EconoPACK 2A -
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Unknown
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 -