P1206K1001FN和PHT1206H1001FN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P1206K1001FN PHT1206H1001FN PHT1206H1001FGT

描述 Thin Film Resistors - SMD P 1206K 1001F N WP e2Thin Film Resistors - SMD 1KΩ 1% 50PPMWaffle Pack or Tape & Reel / PHT 1206 H 1001 F G TR e4

数据手册 ---

制造商 Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼)

分类

基础参数对比

封装(公制) 3216 3216 -

封装 1206 1206 -

额定功率 330 mW 100 mW -

电阻 1 kΩ 1 kΩ -

额定电压 200 V 200 V -

长度 3.06 mm 3.2 mm -

宽度 1.6 mm 1.6 mm -

封装(公制) 3216 3216 -

封装 1206 1206 -

高度 0.5 mm - -

工作温度 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 215℃ -

温度系数 ±100 ppm/℃ ±55 ppm/℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

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