对比图
型号 BSM35GD120DN2 MWI25-12A7
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-ChannelTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 225000mW 24Pin E2-Pack
数据手册 --
制造商 Siemens Semiconductor (西门子) IXYS Semiconductor
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Screw
引脚数 - 24
封装 - E2-Pack
耗散功率 - 225000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 1200 V
输入电容(Cies) - 1.65nF @25V
额定功率(Max) - 225 W
工作温度(Max) - 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃
耗散功率(Max) - 225000 mW
高度 - 17 mm
封装 - E2-Pack
长度 - -
宽度 - -
工作温度 - -40℃ ~ 125℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Bulk
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free