FC30和IXFR30N60P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FC30 IXFR30N60P STF20NM65N

描述 Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PINTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 - TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 30.0 A -

漏源极电阻 - 250 mΩ 0.25 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 - 166W (Tc) 30 W

输入电容 - 3.82 nF -

栅电荷 - 85.0 nC -

漏源极电压(Vds) - 600 V 650 V

漏源击穿电压 - 600 V -

连续漏极电流(Ids) - 15.0 A 15A

上升时间 - 20 ns 13.5 ns

输入电容(Ciss) - 3820pF @25V(Vds) 1280pF @50V(Vds)

下降时间 - 25 ns 21 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 166W (Tc) 30W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

额定功率(Max) - - 30 W

封装 - TO-247-3 TO-220-3

长度 - - 10.4 mm

宽度 - - 4.6 mm

高度 - - 16.4 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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