6116LA20SOGI8和IDT6116SA20SOI8

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116LA20SOGI8 IDT6116SA20SOI8

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器IC SRAM 16Kbit 20NS 24SOIC

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 24 -

封装 SOIC-24 SOIC-24

存取时间 20 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

长度 15.4 mm -

宽度 7.6 mm -

高度 2.34 mm -

封装 SOIC-24 SOIC-24

厚度 2.34 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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