对比图
描述 STMICROELECTRONICS STF5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 VMOS管
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole -
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220
针脚数 3 -
漏源极电阻 1.28 Ω 1.4 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 25 W 35 W
阈值电压 3.75 V 2.4 V
漏源极电压(Vds) 620 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 4.2A -
上升时间 8 ns -
输入电容(Ciss) 680pF @50V(Vds) -
额定功率(Max) 25 W -
下降时间 21 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 25W (Tc) -
封装 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15