IDT6116LA45P和IDT6116SA45P

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT6116LA45P IDT6116SA45P 6116LA45DB

描述 CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)CMOS静态RAM 16K ( 2K ×8位) CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)SRAM Chip Async Single 5V 16Kbit 2K x 8 45ns 24Pin CDIP Tube

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 DIP DIP CDIP-24

引脚数 - - 24

封装 DIP DIP CDIP-24

长度 - - 32 mm

宽度 - - 15.24 mm

高度 - - 2.9 mm

厚度 - - 2.90 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube, Rail Tube

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

存取时间 - - 45 ns

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

工作温度 - - 55℃ ~ 125℃

RoHS标准 - - RoHS Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

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