CY14E101J2-SXI和CY14E101J2-SXIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14E101J2-SXI CY14E101J2-SXIT CY14B101Q2A-SXI

描述 1兆位( 128千× 8 )串行( I2C )的nvSRAM 1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAM1兆位( 128千× 8 )串行( I2C )的nvSRAM 1 Mbit (128 K × 8) Serial (I2C) nvSRAMCY14B101Q 系列 3 V 1 Mb (128 K × 8) 自动存储 nvSRAM - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

存取时间(Max) 900 ns 900 ns 9 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 - - 3 V

供电电流 - - 3 mA

时钟频率 3.4 MHz - 40 MHz

耗散功率(Max) - - 1 W

高度 - 1.48 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a

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