LMC6464AIN和LMC6464BIN/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6464AIN LMC6464BIN/NOPB MC33204DR2G

描述 IC OPAMP GP 50kHz RRO 14DIPCMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsON SEMICONDUCTOR  MC33204DR2G.  运算放大器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ON Semiconductor (安森美)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 DIP-14 DIP-14 SOIC-14

无卤素状态 - - Halogen Free

输出电流 - ≤30 mA 80 mA

供电电流 90 µA 90 µA 900 µA

电路数 4 4 4

通道数 - 4 4

针脚数 - 14 14

共模抑制比 - 65 dB 90 dB

带宽 - 50 kHz 2.2 MHz

转换速率 28.0 mV/μs 15.0 mV/μs 1.00 V/μs

增益频宽积 50 kHz 50 kHz 2.2 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 10 mV

输入偏置电流 0.15 pA 0.15 pA 80 nA

工作温度(Max) - 85 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 - 50 kHz 2.2 MHz

共模抑制比(Min) - 65 dB 60 dB

电源电压 - 3V ~ 15.5V 1.8V ~ 12V

电源电压(Max) - - 12 V

电源电压(Min) - - 1.8 V

电源电压(DC) - 3.00 V -

输入补偿漂移 - 1.50 µV/K -

长度 - 19.05 mm 8.75 mm

宽度 - 6.35 mm 4 mm

高度 - 3.3 mm 1.5 mm

封装 DIP-14 DIP-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - - EAR99

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