对比图
型号 IRFP064 IRFP064N IRFP064NPBF
描述 Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-247AC, LEAD FREE PACKAGE-3TO-247AC N-CH 55V 110AINFINEON IRFP064NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 98 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 - TO-247 TO-247-3
额定功率 - - 150 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 8.00 mΩ 0.008 Ω
极性 - N-Channel N-CH
耗散功率 - 200 W 150 W
阈值电压 - - 4 V
输入电容 - - 4000pF @25V
漏源极电压(Vds) - 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V
连续漏极电流(Ids) - 110 A 110A
上升时间 - 100 ns 100 ns
输入电容(Ciss) - 4000pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 200 W
下降时间 - 70 ns 70 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 200000 mW 200W (Tc)
额定电压(DC) - 55.0 V -
额定电流 - 98.0 A -
产品系列 - IRFP064N -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
长度 - - 15.9 mm
宽度 - - 5.3 mm
高度 - - 20.3 mm
封装 - TO-247 TO-247-3
工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Contains Lead Lead Free