NSS20200LT1G和PBSS5220T,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NSS20200LT1G PBSS5220T,215 NSV20200LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  NSS20200LT1G  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 100 MHz, 710 mW, -2 A, 300 hFEPBSS5220T 系列 20 V 2 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管 - SOT-23-3NSS20200L: 低饱和压晶体管,PNP,-20 V,4.0 A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 710 mW 300 mW 0.54 W

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V 20 V

集电极最大允许电流 2A 2A 2A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @500mA, 2V 200 @1A, 2V 250 @500mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - 225 @100mA, 2V -

额定功率(Max) 460 mW 480 mW 460 mW

直流电流增益(hFE) 300 225 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 540 mW 480 mW 540 mW

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

针脚数 3 - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3.04 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 1.01 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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