IRF7317和IRF7317TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7317 IRF7317TRPBF IRF7105TRPBF

描述 SOIC N+P 20V 6.6A/5.3AINFINEON  IRF7317TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mVINFINEON  IRF7105TRPBF  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电流 6.60 A - -

极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

产品系列 IRF7317 - -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V 25 V

漏源击穿电压 20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 5.30 A 6.6A/5.3A 3.5A/2.3A

额定功率 - 2 W 2 W

针脚数 - 8 8

漏源极电阻 - 0.023 Ω 0.083 Ω

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 700 mV 3 V

输入电容(Ciss) - 900pF @15V(Vds) 330pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 2 W 2 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 2 W

正向电压(Max) - 1 V -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

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